全球兩大晶片製造商三星和台積電，已承諾採用 ASML 的高數值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）微影設備，以應對對更先進晶片日益增長的需求。ASML 的 EUV 微影設備是晶片製造過程中，將電路圖案蝕刻到矽晶圓上的關鍵工具。這些高數值孔徑設備能夠蝕刻出更小、更精密的圖案，每台設備的成本約為 4 億美元。
全球最大的記憶體晶片製造商之一三星表示，將從 2028 年起使用 ASML 的設備生產關鍵記憶體類型 DRAM。三星進一步說明，將在 2030 年全面採用這項技術，這將「擴展 DRAM 的微縮藍圖」並提高製程效率。
台積電表示將使用 ASML 的設備製造先進晶片，並預期高數值孔徑設備的使用量將會增加，這「主要受到 AI 應用所需的日益複雜電晶體架構所驅動」。投資者認為高數值孔徑 EUV 設備的成功，是 ASML 未來成長的關鍵，因為該公司股價在過去一年已上漲 120%。Barclays 週二在一份報告中指出，這些公告「應能讓市場對採用情況有更清晰的了解，這一直是個關鍵的討論點」，並補充說這消息是「正面的」。
三星和台積電將與 Intel 一同成為 ASML 高數值孔徑設備的客戶。ASML 在七月曾表示，Intel 正在使用 High NA EUV 技術進行先進晶片製造。ASML 尚未提供近期預測將銷售多少台設備，但已表示到 2027 年將把 EUV 的總產能增加約 30%。Barclays 的分析師表示，這些公告讓 ASML 在規劃上有了更清晰的視野。
Barclays 表示：「我們認為 ASML 面臨一項重大決策，即是否要進一步擴大 EUV 產能，超越其近期已公布的擴產目標。市場需求顯然非常強勁。」台積電和三星也將與 ASML 共同參與一項產業倡議，旨在推進下一代 12 吋光罩技術，從目前的 6 吋格式升級。光罩是晶片生產的關鍵環節，它實際上是用於在晶圓上蝕刻圖案的模板。ASML 表示，更大尺寸光罩的優點包括提高生產力並降低晶片製造成本。
